程永新 问：英飞凌IGBT驱动芯片中，电平位移技术能否提供输入与输出之间的电气隔离？

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：电平移位驱动 即level shift技术，仅提供功能上的阻断，不能提供输入输出间的电气隔离。请选用基于coreless transformer技术的驱动系列，可提供功能，基本，加强绝缘的驱动产品

陈瑞星 问：如何降低系统IGBT的成本及损耗？

【英飞凌】演讲嘉宾1 答：1、根据应用工况选择合适容量的IGBT 2、优化拓扑结构设计，减少换流回路的杂散电感 3、驱动方面，选择充分的驱动功率，选择合适的门极驱动电阻，优化驱动线路走线

陈瑞星 问：储能电站超大功率的储能变流器贵公司有哪些优势？

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：您好：1 英飞凌有业界最全的功率产品线，可提供最佳性价比的方案给客户。2.英飞凌可提供应用技术支持服务，类似的应用在其他场合已经有使用，相关应用经验可以帮到您避免一些设计误区。请联系英飞凌或代理商具体咨询，谢谢。

舒适 问：这两年几大电力巨头都在布局储能，我们想在用户侧，主要是工厂类的客户做一些项目，不知道英飞凌是否有整套成熟的推广解决方案，可否提供一些技术支持。

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：您好，工厂类客户项目即本文里提到的工商业应用，功率多在几十到几百千瓦，我们有多套方案可供选择，请联系英飞凌或代理商。 首次对英飞凌产品或方案感兴趣可联系Henry Wei咨询， 手机：13823125801, 邮箱：henry.wei@sac.com.hk

馬冬 问：储能技术现国内应用的情况？有什么特点？

答：

胡俊益 问：使用过程中，对电池的维护要求高不高？

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：不好意思，此问题超出我们的专业范围，建议向电池厂商咨询。除定期维护外，工作时实时检测也必不可少，可以提前预测电池组状态，提前发现问题。

李晓峰 问：多个开关管并联，在layout和驱动芯片方面，英飞凌有什么建议没?

【英飞凌】演讲嘉宾2 答：李工，在layout 方面，建议驱动走线避开其他高频干扰，尽量做到到每个开关管的走线长度一致。如果是母排，尽量减少杂感等。驱动芯片方面推荐使用我司1ED驱动，抗干扰能力强，驱动电流较大等。

孙萌 问：在综合能源中的运用如何

答：

刘同召 问：您好王老师。我开发的储能设备为五千瓦的单相输入的小机储能设备。问题1：在实现电池侧的DC升压隔离功能部分，一般采用LLC+BUCKBOOST的拓扑实现。无论LLC和buckboost部分谁靠近电池组，都可以实现该功能。那么请问，哪种方式更有优势呢？各有什么优缺点呢？是不是LLC靠近电池的方案更好呢？问题2：对于小功率的设备（7千瓦以内），考虑到效率等技术指标，比较先进的拓扑是什么样子的？非常期待和感谢老师指导！

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：您好，提的问题非常专业。关于问题1，确实有两种方案且两种方案同时都有人选用。另外一种思路是省去buckboost这级，通过浮动的DC/DC变化来部分满足MPPT的需求。仅从效率上，放在高压侧会好一些。

qinhonghua 问：碳化硅的IGBT有哪些优点？

【英飞凌】演讲嘉宾1 答：碳化硅材料拥有3.2V禁带宽度，10倍于硅材料的临界场强，更加适合于高温高压的应用。碳化硅的IGBT可以做到更高的击穿电压与更低的导通压降。但目前受材料制约，主流的碳化硅功率器件是碳化硅MOSFET，这也是英飞凌主推的SIC器件，相对于SI IGBT，开关频率大大提升，适合高压高频的应用，如UPS,SOLAR,EV CHARGER等。

李崇波 问：储能电站超大功率的储能变流器，提到了级联多电平及MMC，两种拓扑，哪种在将来更具备竞争优势

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：在35kV及以下电网应用，目前来看级联多电平用于储能更合适一些。

张晓惠 问：两种拓扑，哪种在未来更会具备竞争优势？

答：

王彦金 问：储能的主设备以电池为主，是不是容量也会出现衰减？

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：是的。电池会出现容量衰减及寿命问题，这是客观存在的问题，也是行业问题。对于变流器来讲，可以尽量以电池最佳优化的速度进行充放电，尽量延长其寿命且延缓衰减。这一方面可以体现出不同变流器厂家的设计水平。

陈瑞星 问：储能变流器IGBT工作环境温度区间？

【英飞凌】演讲嘉宾2 答：陈工，储能同光伏的工作环境类似，一般是-20C~50C 左右。

罗慧 问：目前英飞凌应用最大功率的使用项目有多少功率？

答：

付博文 问：有没有工商业实际应用在微电网，综合能源中的方案

答：

罗慧 问：还有分布式能源的应用如何？

答：

陈瑞星 问：储能的主设备电池衰减周期？

答：

王彦金 问：英飞凌的蓄能和释放速度怎么样

答：

罗慧 问：产品在智慧能源方面有没有业绩？

答：

陈瑞星 问：IGBT输出响应速度大概多少时间？

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：IGBT可在us级做出响应（即开通或关断），但响应速度更多是指储能系统可做出的响应，一般可做到ms级，大约2~5ms。

李晓峰 问：储能系统中电池电压一般为48V，我们做自然散热3000W以上，开关管使用TO247，电流比较大，散热不太好处理。有什么其它方案推荐吗？另外，英飞凌有推出四脚低压mosfet的计划吗？

【英飞凌】演讲嘉宾2 答：李工，自然散热的话，有3个方向，1是拓扑上用软开关，减少器件的开关损耗；2是使用更低Rdson的器件，或者多并联，减少单个器件的损耗，3 是使用高效的散热方式，比如热管等。以上请参考。我司高压MOSFET 有TO-247-4 封装，低压目前还没有。

张晓惠 问：王老师您好，我想问问这个pcs的优化效果怎么样

答：

赵冲 问：贵公司的IGBT目前在国内是处于什么水平？会不会出现类似中兴的事件？

【英飞凌】演讲嘉宾1 答：英飞凌功率半导体处于国际领先水平，IGBT市场占有率全球第一。英飞凌新建了12英寸工厂，产能供应稳定，可以满足国内各类功率等级客户需求

罗慧 问：英飞凌的蓄能和释放速度怎么样

【英飞凌】演讲嘉宾3 答：英飞凌可提供多种功率器件和解决方案，以供储能变流器客户选用。所问的蓄能与释放速度主要取决于变流器功率与电池容量的比值，根据实际的应用需求可以设置为4：1 到 1：4都有应用。

付博文 问：老师您好，我们现在打算做储能，这个储能交流器可以优化效果如何？我们打算做微电网和综合能源项目不怎么优化效果可以达到怎样的效果？

答：

陈瑞星 问：贵公司电池IGBT蓄能和释放速度怎么样？

答：

陈瑞星 问：产品在风力发电机组是否有实际应用？具体使用有没有技术方案？

答：

【英飞凌】演讲嘉宾3 问：通告：本期研讨会交流内容会后将在“英飞凌工业半导体”微信公众号以图文方式发布；pdf版本文件可联系英飞凌或代理商获得。对英飞凌产品或方案感兴趣可联系Henry Wei咨询， 手机：13823125801, 邮箱：henry.wei@sac.com.hk

答：

罗慧 问：产品在燃煤机组是否有实际应用？具体使用有没有技术报告？

答：

赵冲 问：储能的主设备以电池为主，是不是容量也会出现衰减？

答：