演讲概述

碳化硅(SiC)拥有优良的材料特性，是下一代高速、高效及高压的功率半导体的理想基础材料。SiC器件为系统带来的好处足以抵消器件自身的额外成本。
第一代的SiC功率MOSFET使用平面结构，因而受到栅极氧化层可靠性问题的困扰。最新一代的SiC MOSFET使用沟槽栅极结构，同时达到高性能及可媲美IGBT的高可靠性。
高而稳定的栅极阈电压VGS(th) 令SiC MOSFET的抗dV/dt触发能力强，是重要的工作安全指标。配合+15V的额定VGS电压，SiC MOSFET可以直接使用现有的高速IGBT门极芯片作驱动。
SiC MOSFET的线性无门限导通压降，应用在交流负载時平均导通损耗比IGBT低。开关损耗得到大幅降低，便于高频开关应用。
SiC MOSFET的动态特性可以通过门极电阻Rg得到完全控制。带短路规格令工作更安全，并可以控制芯片实现快速短路保护。
SiC MOSFET驱动芯片需具备抗干扰能力强、延时时间偏差小及快速短路保护特性。
SiC器件正进入多种应用，如电动车充电器、太阳能逆变器及储能系统，是提高系统效率及功率密度的关键。

 

奖品奖项：

一等奖：2名 甲醛净化器（2只）

二等奖：3名 香薰加湿器（带小夜灯）

三等奖：5名 LED触控阅读小夜灯

参与奖：北极星论坛100星币（报名即得）

 

 

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