陈瑞星 问：碳化硅MOSFET器件的功率损耗有多大？

嘉宾1 答：碳化硅MOSFET的导通和关断损耗都比硅MOS要低，详见讲解的PPT。具体损耗数值需要根据实际工况来计算。

张驰 问：SiC 和GaN MOSFET各有什么优缺点？

马国伟 答：GaN 的速度更高，电压较低。SiC MOSFET可用于更高电压。

Grace 问：在降低损耗功率和价格上英飞凌有什么显著的优势？

嘉宾3 答：英飞凌的碳化硅技术和产品的优势不仅体现在最低的开关和导通损耗，更体现在他的高可靠性（通过先进的沟槽栅技术解决了栅极氧化层的可靠性问题），短路能力，易用性以及稳定的生产供应能力，这些都我们的优势。 作为工业半导体的领导者，英飞凌一直以技术和质量取胜，而不是以低价策略抢占市场 ：）

张驰 问：北京晶川主要经营什么产品？

华伟 答：主要是英飞凌的产品，也有EPCOS ，VAC 等其他品牌产品，详细可以访问我们官网WWW.IGBT.CN

金宁 问：请问碳化硅MOSFET器件正常运行的承受高温限值多少？

马国伟 答：目前碳化硅MOSFET器件的温度限制是来自于封装技术。目前是175oC （单管） 及150oC （模块）。

杨国庆 问：请问当开关速度较快时，硅模块周围通常存在的电感和电容之外的杂散电感和电容，SiC MOSFET是如何解决这个问题的？

马国伟 答：使用高速的SiC MOSFET器件，用户需要把器件周边的杂散电感和电容降到最小 - 否则就浪费了器件的特性。

张驰 问：600V的MOSFET有什么封装？

华伟 答：你指的是COOLMOS?还是SIC MOSFET,如果是SIC 目前还没有产品

雷胜 问：碳化硅mos与普通mos除材料不同外，碳化硅mos使用功率是否可以使用在大功率场合替代IGBT？

嘉宾1 答：目前碳化硅的应用主要集中在中小功率的应用领域。随着技术的发展，碳化硅在高压器件的优势会逐渐的表现出来，其应用领域也会扩展到大功率的使用。但是在相当长的一段时间内会与硅器件并存，用户会根据应用场合和实际设计的需求来合理选择。

张驰 问：22KW，散热用的水冷吗？

华伟 答：目前是一个DEMO, 如果正式产品，最好水冷

张驰 问：多并联是不是相应增加了成本了？

答：

杨国庆 问：请问碳化硅会是功率器件的终极选择吗?

马国伟 答：Never say never

张驰 问：如何防止栅极驱动误导通？

马国伟 答：高Vgs(th) 是防止栅极驱动误导通的关键。

张驰 问：开关频率500KHz，有相关的栅极驱动器推荐吗？

华伟 答：可以考虑用1EDI20H12AH(2A/1200V),或60H12AH(6A/1200V) 专用低延时驱动，详细资料可以到官网下载

冯金刚 问：老师，请问一下，怎么调整碳化硅 mosfet 驱动减少功率损耗？

马国伟 答：导通损耗可以用较高的Vgs来降低 -降低Rds(on)。 开关损耗可以用较低的Rg来实现

金宁 问：请问相同容量的碳化硅MOSFET器件与IGBT相比成本价格有优势吗？相差百分之多少？

嘉宾3 答：您好，目前碳化硅MOSFET器件可定还是比硅的器件成本高一些。但是碳化硅的高效高频等优越性能可以帮助系统节省感性器件，散热系统的成本，简化器件拓扑和数量，减小系统尺寸和重量，所以不建议在器件层面对比，而是从系统层面上分析对比系统成本的节省，系统功率密度和性能提升。

王传声 问：SiC与GaN在电力电子领域哪个应用更多一些？

嘉宾1 答：通常碳化硅器件在高压应用会更有优势，例如光伏，UPS，DRIVE等领域；GaN在1kV以下更高开关频率应用下会更有优势，如通信电源等

杨国庆 问：据我了解，碳化硅芯片可在600℃温度下工作，但与其配套的材料不一定能耐此高温，其电极材料、焊料、外壳、绝缘材料等好像都限制了工作温度的提高？

嘉宾2 答：封装是目前制约功率半导体工作温度提高的原因之一

高星 问：为什么我们在电路应用中设计了过流保护，但是功率器件还是会出现损坏？而正常测试却没有监控到过压的。需要注意哪些方面？

嘉宾2 答：有很多原因会导致功率器件失效，有过流，过温，短路，CE过压，GE过压，寿命到期等等原因，需要具体情况具体分析

王欣刚 问：SiC MOSFET 市场应用前景如何，现在的技术是否成熟，与国际水平有什么差距

嘉宾3 答：您好，SIC mosfet技术经过几十年的发展已经成熟，早已进入商业量产阶段。英飞凌的SiC mosfet采用了最先进的沟槽栅技术，代表了国际最先进的水平

金宁 问：请问碳化硅MOSFET器件的功率损耗有多少？

嘉宾1 答：碳化硅MOSFET的导通和关断损耗都比硅MOS要低，详见讲解的PPT。具体损耗数值需要根据实际工况来计算。

杨国庆 问：请问碳化硅半导体表面挖槽工艺、终端钝化工艺、栅氧层的界面态对碳化硅MOSFET器件的长期稳定性有哪些影响?

马国伟 答：使用溝槽技術可以大幅降低栅氧层界面的缺陷，對碳化硅MOSFET器件的长期稳定性是關鍵的。

阿拉山口 问：老师，直流充电，充满大概需要多久呢？

答：

金宁 问：请问跟英飞凌的IGBT相比有什么区别？优势？

嘉宾2 答：IGBT是双极性器件，MOSFET是单极性器件，器件结构不同。MOSFET只有电子参与导电，在关断的时候没有拖尾电流，可以达到很高的开关频率。另外，IGBT是硅基器件，CoolSiC MOSFET是碳化硅器件，硅和碳化硅是两种不同的半导体材料，SiC比Si具有更高的击穿场强，更高的热导率，性能更加卓越

杨国庆 问：请问碳化硅mos对比硅mos有哪些优势？

嘉宾1 答：碳化硅MOSFET相对于传统的MOS主要是由材料带来的一系列优势，比如更低的损耗，可以使用更高的开关频率等

张驰 问：英飞凌生产的MOSFET有什么独家技术在里面？

答：

张驰 问：MOSFET现在发展状况怎么样？

答：

金宁 问：请问针对当前配网台区用的三相不平衡产品有针对性的方案产品吗?

答：

Grace 问：是否有污染？污染有多严重，如何治理污染问题？

答：