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  • 高星 :为什么我们在电路应用中设计了过流保护,但是功率器件还是会出现损坏?而正常测试却没有监控到过压的。需要注意哪些方面?

    嘉宾2 :有很多原因会导致功率器件失效,有过流,过温,短路,CE过压,GE过压,寿命到期等等原因,需要具体情况具体分析

  • 王欣刚 :SiC MOSFET 市场应用前景如何,现在的技术是否成熟,与国际水平有什么差距

    嘉宾3 :您好,SIC mosfet技术经过几十年的发展已经成熟,早已进入商业量产阶段。英飞凌的SiC mosfet采用了最先进的沟槽栅技术,代表了国际最先进的水平

  • 金宁 :请问碳化硅MOSFET器件的功率损耗有多少?

    嘉宾1 :碳化硅MOSFET的导通和关断损耗都比硅MOS要低,详见讲解的PPT。具体损耗数值需要根据实际工况来计算。

  • 会议主持人: 专家们正在努力为大家整理回复问题,请大家耐心等待,为确保大家及时看到提问解答情况,请手动点击视频下方刷新按钮在线交流即可,一定不要刷新页面(将导致视频重复播放)!
  • 杨国庆 :请问碳化硅半导体表面挖槽工艺、终端钝化工艺、栅氧层的界面态对碳化硅MOSFET器件的长期稳定性有哪些影响?

    马国伟 :使用溝槽技術可以大幅降低栅氧层界面的缺陷,對碳化硅MOSFET器件的长期稳定性是關鍵的。

  • 阿拉山口 :老师,直流充电,充满大概需要多久呢?

  • 金宁 :请问跟英飞凌的IGBT相比有什么区别?优势?

    嘉宾2 :IGBT是双极性器件,MOSFET是单极性器件,器件结构不同。MOSFET只有电子参与导电,在关断的时候没有拖尾电流,可以达到很高的开关频率。另外,IGBT是硅基器件,CoolSiC MOSFET是碳化硅器件,硅和碳化硅是两种不同的半导体材料,SiC比Si具有更高的击穿场强,更高的热导率,性能更加卓越

  • 杨国庆 :请问碳化硅mos对比硅mos有哪些优势?

    嘉宾1 :碳化硅MOSFET相对于传统的MOS主要是由材料带来的一系列优势,比如更低的损耗,可以使用更高的开关频率等

  • 会议主持人: 如需资料,请联系公司专业人员 如有产品需求,请致电:4001200951
  • 张驰 :英飞凌生产的MOSFET有什么独家技术在里面?

  • 张驰 :MOSFET现在发展状况怎么样?

  • 金宁 :请问针对当前配网台区用的三相不平衡产品有针对性的方案产品吗?

  • Grace :是否有污染?污染有多严重,如何治理污染问题?

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  • 会议主持人: 华伟 资深电力电子工程师
  • 会议主持人: 马国伟 工业功率控制事业部应用与系统总监
  • 会议主持人: 各位网友大家好!欢迎参加“英飞凌&北京晶川联合举办CoolSiC 碳化硅MOSFET技术、器件和应用技术 ”网络在线研讨会,本次演讲的嘉宾是:
  • 会议主持人: 温馨提示:研讨会倒计时3分钟,研讨会开始后,为确保大家能够及时查看会议进程,请手动刷新视频下方以及在线交流即可,不要刷新页面(这样将导致视频重复播放)!

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  • 5崔*成北京国电思达科技公司
  • 6滕*汉良喜新能源科技公司

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精选问答

主题: Bentley变电设计土建部分数字化移交
Q:

Bentley的产品类似BIM建模吗

A:

利用Bentley 产品可以进行BIM模型的创建,我们也可以为行业提供整体的解决方案

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主题: Bentley变电设计土建部分数字化移交
Q:

工程资料数字化及移交范围有哪些?

A:

本次讲座主要讲述数字化移交过程中土建专业移交的范围和问题,具体可参考ppt中所讲

查看全部

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