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高星 问:为什么我们在电路应用中设计了过流保护,但是功率器件还是会出现损坏?而正常测试却没有监控到过压的。需要注意哪些方面?
嘉宾2 答:有很多原因会导致功率器件失效,有过流,过温,短路,CE过压,GE过压,寿命到期等等原因,需要具体情况具体分析
王欣刚 问:SiC MOSFET 市场应用前景如何,现在的技术是否成熟,与国际水平有什么差距
嘉宾3 答:您好,SIC mosfet技术经过几十年的发展已经成熟,早已进入商业量产阶段。英飞凌的SiC mosfet采用了最先进的沟槽栅技术,代表了国际最先进的水平
金宁 问:请问碳化硅MOSFET器件的功率损耗有多少?
嘉宾1 答:碳化硅MOSFET的导通和关断损耗都比硅MOS要低,详见讲解的PPT。具体损耗数值需要根据实际工况来计算。
杨国庆 问:请问碳化硅半导体表面挖槽工艺、终端钝化工艺、栅氧层的界面态对碳化硅MOSFET器件的长期稳定性有哪些影响?
马国伟 答:使用溝槽技術可以大幅降低栅氧层界面的缺陷,對碳化硅MOSFET器件的长期稳定性是關鍵的。
阿拉山口 问:老师,直流充电,充满大概需要多久呢?
答:
金宁 问:请问跟英飞凌的IGBT相比有什么区别?优势?
嘉宾2 答:IGBT是双极性器件,MOSFET是单极性器件,器件结构不同。MOSFET只有电子参与导电,在关断的时候没有拖尾电流,可以达到很高的开关频率。另外,IGBT是硅基器件,CoolSiC MOSFET是碳化硅器件,硅和碳化硅是两种不同的半导体材料,SiC比Si具有更高的击穿场强,更高的热导率,性能更加卓越
杨国庆 问:请问碳化硅mos对比硅mos有哪些优势?
嘉宾1 答:碳化硅MOSFET相对于传统的MOS主要是由材料带来的一系列优势,比如更低的损耗,可以使用更高的开关频率等
张驰 问:英飞凌生产的MOSFET有什么独家技术在里面?
答:
张驰 问:MOSFET现在发展状况怎么样?
答:
金宁 问:请问针对当前配网台区用的三相不平衡产品有针对性的方案产品吗?
答:
Grace 问:是否有污染?污染有多严重,如何治理污染问题?
答:
TDK还有什么产品?
Varistor, NTC-ICL
角度传感器在哪里生产?
你好,我们的产品都在国内生产。
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