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  • 程永新 :碳化硅功率模块应用在储能系统时,其最大效率和低噪声指标如何?

    华伟 :这个无法给出,根据不同拓扑及实际应用的情况而定

  • 会议主持人: 本次活动的获奖名单我们会在北极星电力论坛、研讨会官方微信群、QQ群公布,请大家随时关注!谢谢大家!
  • 会议主持人: 感谢大家对这次研讨会的给力支持,谢谢大家的积极提问,也谢谢各位专家为大家答疑解惑!希望这次研讨会能够给大家带来收获! 有更多问题想了解欢迎致客户服务中心4001200951 如需更多资料,请联系公司专业人员 我宣布本次研讨会圆满闭幕!
  • 会议主持人: 我宣布本次“CoolSiC 碳化硅MOSFET技术、器件和应用技术有奖研讨会”圆满闭幕!
  • 会议主持人: 离会议结束还有5分钟,大家有疑问或者感兴趣的抓紧时机提问,并且耐心等候解答哦! 小伙伴们,此次研讨会将有奖品送出,请大家把握机会,踊跃提问哦~
  • 欧文 :刚才在JCET的PPT中的第7页,push-pull分开的方式会造成三极管门极承受反压,虽然mosfet 的米勒电容很小,你们是怎么考虑这个问题的?

    华伟 :SIC MOS 的 Cdg 很小,但是Coss 也小,还是比较容易震荡在Vgs波形上。所以要加负压关断,为了减小Vgs(th)漂移问题,我们正在用带有源米勒嵌位的驱动1EDI30I12MH零压关断驱动做测试实验。这也是应用难点之一。如果方便可以联系我们,详细讨论。

  • 会议主持人: 小伙伴们~ 如需资料或有产品需求,请联系企业专业人员:4001200951
  • 程永新 :SiC器件在保持散热器温度不变的条件下,可以在多大范围的电流密度和温度条件下工作?

    马国伟 :P.13 及14给出了SiC MOSFET的导通及开关损耗特性。在相同的温度极限(散热器温度 及 芯片结温)下,功耗决定器件的电流密度。

  • 冯金刚 :请问一下,应用了sic mosfet可以不用软开关吗?

    马国伟 : 当器件没法同时达到电压及速度的要求时,软开关技术可以弥补器件的不足。但软开关技术较为复杂,而且可控性不如硬开关技术。因此,使用sic mosfet可以提高硬开关技术的有效使用频率。

  • 杨国庆 :请问是如何解决碳化硅晶片的微管缺陷密度的?

    嘉宾2 :CoolSiC MOSFET采用沟槽栅结构,沟槽栅所在晶面相比于水平晶面,能够大幅降低沟道上的缺陷密度

  • 王思晗 :运用SiC mos做光伏逆变器,和Si IGBT的拓扑有很大区别吗,要注意哪些?

    嘉宾1 :碳化硅器件的使用可以简化系统的拓扑,从而简化控制复杂性和提高可靠性。在使用时应注意驱动的设计确保器件的安全使用和保证整机的效率。

  • 陈瑞星 :碳化硅MOSFET器件散热方式是什么?

    马国伟 :碳化硅MOSFET芯片面积较小,内部热扩散是重要的器件设计问题,由供应商(英飞凌)来解决。在器件应用,由于热扩散问题已经被处理,因此跟其他功率器件一样。

  • 会议主持人: 会议接近尾声,大家有疑问或者感兴趣的抓紧时机提问,并且耐心等候解答哦! 小伙伴们,此次研讨会将有奖品送出,请大家把握机会,踊跃提问哦~
  • 罗慧 :有效能源转换率是多少?

  • 程永新 :请对比下SiC系统与硅IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的附加成本?

    嘉宾3 :我们的做过一些参考设计,从效率,成本,体积和重量等方面来对比碳化硅方案和硅方案的逆变器的对比,但不同的应用,功率等级和设计情况都不一样,没有办法具体回答您的问题。 总的来讲,您好,目前碳化硅MOSFET器件可定还是比硅的器件成本高一些。但是碳化硅的高效高频等优越性能可以帮助系统节省感性器件,散热系统的成本,简化器件拓扑和数量,减小系统尺寸和重量,所以不建议在器件层面对比,而是从系统层面上分析对比系统成本的节省,系统功率密度和性能提升。

  • 杨国庆 :请问SiC MOSFET 的价格如何?

    嘉宾3 :您好,目前碳化硅MOSFET器件可定还是比硅的器件成本高一些。但是碳化硅的高效高频等优越性能可以帮助系统节省感性器件,散热系统的成本,简化器件拓扑和数量,减小系统尺寸和重量,所以不建议在器件层面对比,而是从系统层面上分析对比系统成本的节省,系统功率密度和性能提升。

  • 张驰 :600V电压等级的时候,用MOSFET、IGBT 有区别吗?

    马国伟 :以速度来排分,600V电压等级可以有Si-IGBT, Si-MOS, SiC-MOS, GaN, 成本则相反。

  • 罗慧 :作为电动车充电器、太阳能逆变器及储能系统,一般功率可以单独多少?充电时间和现在技术比较?

    嘉宾3 :功率从几千瓦到上百千瓦,甚至兆瓦都是有的。要具体情况具体分析了

  • 张驰 :英飞凌有光耦隔离的栅极驱动器吗?

    华伟 :英飞凌的驱动主要是基于无核变压器的磁隔技术,磁隔离驱动具有寿命长,无衰减,低延迟等光耦无法比拟的特点,特别适合在高频,高效驱动应用

  • 陈瑞星 :MOSFET有哪些优势?

    嘉宾1 :请问是指碳化硅MOSFET吗,PPT里有详细的解释

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精选问答

主题:CoolSiC™碳化硅MOSFET技术、器件和应用
Q:

为什么我们在电路应用中设计了过流保护,但是功率器件还是会出现损坏?而正常测试却没有监控到过压的。需要注意哪些方面?

A:

有很多原因会导致功率器件失效,有过流,过温,短路,CE过压,GE过压,寿命到期等等原因,需要具体情况具体分析

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主题:CoolSiC™碳化硅MOSFET技术、器件和应用
Q:

请问碳化硅mos对比硅mos有哪些优势?

A:

碳化硅MOSFET相对于传统的MOS主要是由材料带来的一系列优势,比如更低的损耗,可以使用更高的开关频率等

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