程永新 问：碳化硅功率模块应用在储能系统时，其最大效率和低噪声指标如何？

华伟 答：这个无法给出，根据不同拓扑及实际应用的情况而定

欧文 问：刚才在JCET的PPT中的第7页，push-pull分开的方式会造成三极管门极承受反压，虽然mosfet 的米勒电容很小，你们是怎么考虑这个问题的？

华伟 答：SIC MOS 的 Cdg 很小，但是Coss 也小，还是比较容易震荡在Vgs波形上。所以要加负压关断，为了减小Vgs（th)漂移问题，我们正在用带有源米勒嵌位的驱动1EDI30I12MH零压关断驱动做测试实验。这也是应用难点之一。如果方便可以联系我们，详细讨论。

程永新 问：SiC器件在保持散热器温度不变的条件下，可以在多大范围的电流密度和温度条件下工作？

马国伟 答：P.13 及14给出了SiC MOSFET的导通及开关损耗特性。在相同的温度极限（散热器温度 及 芯片结温）下，功耗决定器件的电流密度。

冯金刚 问：请问一下，应用了sic mosfet可以不用软开关吗？

马国伟 答： 当器件没法同时达到电压及速度的要求时，软开关技术可以弥补器件的不足。但软开关技术较为复杂，而且可控性不如硬开关技术。因此，使用sic mosfet可以提高硬开关技术的有效使用频率。

杨国庆 问：请问是如何解决碳化硅晶片的微管缺陷密度的？

嘉宾2 答：CoolSiC MOSFET采用沟槽栅结构，沟槽栅所在晶面相比于水平晶面，能够大幅降低沟道上的缺陷密度

王思晗 问：运用SiC mos做光伏逆变器，和Si IGBT的拓扑有很大区别吗，要注意哪些？

嘉宾1 答：碳化硅器件的使用可以简化系统的拓扑，从而简化控制复杂性和提高可靠性。在使用时应注意驱动的设计确保器件的安全使用和保证整机的效率。

陈瑞星 问：碳化硅MOSFET器件散热方式是什么？

马国伟 答：碳化硅MOSFET芯片面积较小，内部热扩散是重要的器件设计问题，由供应商（英飞凌）来解决。在器件应用，由于热扩散问题已经被处理，因此跟其他功率器件一样。

罗慧 问：有效能源转换率是多少？

答：

程永新 问：请对比下SiC系统与硅IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的附加成本？

嘉宾3 答：我们的做过一些参考设计，从效率，成本，体积和重量等方面来对比碳化硅方案和硅方案的逆变器的对比，但不同的应用，功率等级和设计情况都不一样，没有办法具体回答您的问题。 总的来讲，您好，目前碳化硅MOSFET器件可定还是比硅的器件成本高一些。但是碳化硅的高效高频等优越性能可以帮助系统节省感性器件，散热系统的成本，简化器件拓扑和数量，减小系统尺寸和重量，所以不建议在器件层面对比，而是从系统层面上分析对比系统成本的节省，系统功率密度和性能提升。

杨国庆 问：请问SiC MOSFET 的价格如何？

嘉宾3 答：您好，目前碳化硅MOSFET器件可定还是比硅的器件成本高一些。但是碳化硅的高效高频等优越性能可以帮助系统节省感性器件，散热系统的成本，简化器件拓扑和数量，减小系统尺寸和重量，所以不建议在器件层面对比，而是从系统层面上分析对比系统成本的节省，系统功率密度和性能提升。

张驰 问：600V电压等级的时候，用MOSFET、IGBT 有区别吗？

马国伟 答：以速度来排分，600V电压等级可以有Si-IGBT, Si-MOS, SiC-MOS, GaN， 成本则相反。

罗慧 问：作为电动车充电器、太阳能逆变器及储能系统，一般功率可以单独多少？充电时间和现在技术比较？

嘉宾3 答：功率从几千瓦到上百千瓦，甚至兆瓦都是有的。要具体情况具体分析了

张驰 问：英飞凌有光耦隔离的栅极驱动器吗？

华伟 答：英飞凌的驱动主要是基于无核变压器的磁隔技术，磁隔离驱动具有寿命长，无衰减，低延迟等光耦无法比拟的特点，特别适合在高频，高效驱动应用

陈瑞星 问：MOSFET有哪些优势？

嘉宾1 答：请问是指碳化硅MOSFET吗，PPT里有详细的解释